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Neu bei EVERLIGHT: Semi-Power Devices

 

Die Si Power Devices von EVERLIGHT stehen für eine ausgereifte Fertigungstechnologie, außergewöhnliche Steuerbarkeit, hohe Spannungstoleranz und hervorragende Zuverlässigkeit. Die Serie umfasst eine breite Palette von Produkten, die alle im zuverlässigen und dem Industriestandard entsprechenden TO-Series Format verpackt sind.

 

Silizium Carbide Schottky Barrier Dioden

EVERLIGHT Silizium Carbide (SiC) Schottky Barrier Dioden (SBD) sind ideal für Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen. Diese hochmodernen Dioden eignen sich für die steigenden Anforderungen in den Bereichen der erneuerbaren Energien. Mit einer Nennspannung von 650 V bietet die EVERLIGHT SiC SBD-Serie einen Strombereich von 4 A bis 20 A und gewährleistet so eine optimale Leistung. Die Dioden werden in TO-Gehäusen geliefert, die für ihre Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit bekannt sind.

 

Abb.1.: Silizium Carbide Schottky Barrier Dioden
Abb.1.: Silizium Carbide Schottky Barrier Dioden

Silizium Carbide MOSFET

Die Silizium Carbide-MOSFETs (SiC) von EVERLIGHT zeichnen sich durch ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten und minimale Schaltverluste aus. Diese fortschrittlichen MOSFETs sind eine kompakte Lösung, um die Nutzung von Peripheriegeräten zu rationalisieren, den Platzbedarf zu optimieren und die Kosten zu senken. Die EVERLIGHT SiC-MOSFET-Serie deckt Spannungen von 650 V und 1200 V ab und bietet eine breite Palette von Widerständen, die von 20 mOhm bis 100 mOhm reichen. Diese MOSFETs sind im zuverlässigen und weit verbreiteten TO-Series-Format verpackt und lassen sich nahtlos in Ihre bestehenden Systeme integrieren.

 

 

Abb.2: Silizium Carbide MOSFETs
Abb.2: Silizium Carbide MOSFETs

 Gallium Nitride Power Devices

EVERLIGHT Gallium nitride (GaN) Power Devices bieten enorme Vorteile in Bezug auf Schaltgeschwindigkeiten und Integration. Diese hochmodernen GaN-Leistungsbauelemente sind ein hochwertiger Ersatz für Mittel- und Niederspannungs-MOSFETs auf Siliziumbasis in Hochfrequenzanwendungen. Die Everlight-GaN-Leistungsdioden-Serie deckt einen breiten Widerstandsbereich ab, der von 100 mOhm bis 300 mOhm reicht. Die Leistungsdioden im kompakten und zuverlässigen DFN-Format sind so konzipiert, dass sie sich nahtlos in Ihre bestehenden Systeme einfügen.

Abb. 3.: Gallium Nitride Power Devices
Abb. 3.: Gallium Nitride Power Devices

Gerne erhalten Sie Datenblätter und Freigabemuster auf Anfrage bei bei AEK GmbH. Selbstverständlich stehen wir auch beratend gemeinsam mit dem Hersteller zur Seite. 


Über den Hersteller:  

EVERLIGHT Electronics Co., Ltd. wurde 1983 in Taipei, Taiwan, gegründet. Unter dem Vorsitz von Robert Yeh verfügt EVERLIGHT über 36 Jahre Erfahrung in Forschung und Entwicklung. Internationale Tätigkeit, hohe Verlässlichkeit und ein hervorragendes Markenimage spiegeln sich in der Position unter den weltweit Top 4 LED-Herstellern wider. Heute ist EVERLIGHT ein international tätiges Unternehmen mit über 6.400 Mitarbeitern weltweit. 

 

Der Hersteller verfügt über ein breit gefächertes Produktportfolio, das von Low Power LEDs bis hin zu Ultra High Power LEDs, von bedrahteten und SMD-LEDs bis hin zu Through-hole LEDs zu SMD LEDs, LED-Lichtmodulen, digitalen Displays, Optokopplern und Infrarotstrahlern reicht. Die Produkte werden für Automotive-Anwendungen, TFT, Leitsysteme und Konsumgüter eingesetzt.  

 

Weitere Informationen zu den Optokopplern, Datenblätter, kostenfreie Evaluierungsmuster und Beratung erhalten Sie bei AEK GmbH.